檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "indium".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="洪儒生"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
在本論文中我們使用射極-濺鍍沉積參鎢氧化銦以及氫化氧化銦之透明導電膜,期望能利用該等材質較高的功函數以及光學透過特性應用於矽晶異質接面太陽能電池的製作上,以獲得較佳電池轉換效率之表現。實驗結果顯示,…
2
本研究利用原子層磊晶(ALE)技術合成氮化鎵(GaN)及氮化銦鎵(InxGa1-xN)三元混晶膜。以二乙基一氯鎵(DEGaCl)及氨氣(NH3)作為反應原料,並選用已成長氮化鎵的藍寶石磊晶片為基材,…